СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА 2010-5

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 24 WWW.SOEL.RU зить интерференцию на субгармони ках); Feedback Control – управление об ратнойсвязью; IDC–компараторсхемы защитыпотоку; LEB(LeadingEdgeBlank ing)–подавительвыбросовнапереднем фронте импульсов; RST – схема сброса; DRV–драйверМОП транзистора. Типо вая схема включенияИС серииW6200D приведена на рисунке 6. Назначение выводов ИС серииW6200D: 1 – (D/ST) вывод стока МОП транзис тора и вход схемы запуска; 3 – (S/OCP) вывод истока МОП транзистора и вход схемы защиты по току; 4 – (VCC) вывод питания и вход схемы защиты от перенапряжений; 5 – (GND) сигнальный корпус; 6 – (FB) вход сигнала обратной связи; 7 – (FM/ELP) вывод для подключения конденсатора, задающего девиацию частотыивход внешней схемызащиты. Вывод питания контроллера (VCC) соединён с источником постоянного тока (1,7мА). Впроцессе изменения ре жимов работы микросхемы напряже ние на выводе может меняться в преде лах 8,9…18 В, запуск происходит при напряжении V cc on ≈ 15,5 В. Рекоменду емое значение ёмкости конденсатора С зап 10…47 мкФ. Зависимость тока I cc от напряжения V cc имеет гистерезис, пе ред запуском ( V cc ≈ 13,5 В) I cc не превы шает5мкА, вмоментзапуска ( V cc ≈ 15,5B) ток резко увеличивается ( I cc startup ≈ ≈ 1,4 мА). При понижении напряжения V cc до 8,9 В ток резко уменьшается не менее чем до 1 мкА, при увеличении напряжения V cc до 27 В срабатывает схема защиты от перенапряжения (OVP, см.рис. 5). Вывод 3 (S/OCP) соединяют с корпу сом через резистор с небольшим сопро тивлением, являющимся датчиком тока длясхемызащитыпотоку(ОСР),типовое падение напряжения на этом резисторе, прикоторомсрабатываетзащита,состав ляет V ocp = 0,9 B, при дальнейшем умень шенииэтогонапряжениямикросхемаав томатически запускается. К выводу 7 (FM/ELP) подключается конденсатор С чм (см. рис. 6) с рекомен дуемой ёмкостью 0,015…0,047 мкФ, девиация частоты ШИМ генератора (67 кГц) составляет примерно ±5%, при ёмкости конденсатора С чм = 0,01 мкФ период изменения частотыШИМ гене ратора составляет примерно 2,6 мс. Прерывистыйрежимработымикрос хем (Auto Burst Mode) включается при уменьшении пикового тока стока ID МОП транзисторадовеличиныв15%от максимального значения. На рисунке 7 приведены временные диаграммы ра боты микросхемы при нормальной (Normal Load) и малой нагрузке (Light Load). При отключении нагрузки прек ращается генерацияШИМ сигналов, че рез некоторое время она возобновляет ся, приэтомток стоканепревышает15% от максимального значения. Если наг рузка в течениеопределённоговремени не подключается, генерация снова сры вается, приподключениинагрузкимик росхема входит в нормальный режим работы. Функциявнешнейзащиты(ELP– External Latch Protection) реализуется подачей напряжения более 7,1 В на вы вод 7 (FM/ELP) микросхемы (в микро схему встроен защитный стабилитрон СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2010 5 GND 1 D/ST 3 S/OCP ELP TSD STARTUP Istartup = 1,7 мА OVP 7,10 В 135°C 28,4 В REG VREG RST OCP Feedback Control Slope Compensation IDC 7,05 В DRV UVLO 15,5 В /0,9 В R S Q R S Q 7 FM/ELP 4 VCC 6 FB S Q R S2 CK OLP Q S1 R PWM OSC Fretquency Modulation 12 В 160 мкА DMAX 75% LEB 85~265 В S/OCP FM/ELP STR W6200D GND FB D/ST VCC Опция 3 7 5 6 1 4 + C ЗАП. C ЧМ + + Вых. Корпус + Нормальная нагрузка Малая нагрузка Рабочий режим Рабочий режим Iвых I D Дежурный режим Пауза Рис. 5. Функциональная схема ИС серии STR W6200D Рис. 6. Типовое включение микросхем серии STR W6200D Рис. 7. Временные диаграммы работы микросхем серии STR W6200 C5 25 В 3300,0 C2 35 В 47,0 C10 630 В 0,01 C9 400 В 150,0 C6 0,1 R3 1,5K R9 1,5K D4 EG01C R4 680 Ом R8 22K D2 FML'G12S D3 R5 10K + 1 T1 C3 0,01 R1 2 Вт 0,62 + C7 25 В 2200,0 + + R7 10K R6 100K L2 4,4 мГн / 3 А 15K 7 PC1 FM/ELP FB GND VCC S/OCP D/ST 1 3 4 5 6 RBV'406 TH1 R2 C8 2200 AL01Z STR W6251D D1 C4 4700 C12 250 В 0,01 C11 250 В 0,01 мкФ F1 250 В 1,5 А L1 47 2 кВ Выход 15 В / 2 А Корпус 2 3 5 D 4 2 Вт 100 85~265 В L N Рис. 8. Электрическая принципиальная схема SMPS на микросхеме STR W6251D © СТА-ПРЕСС