СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА 2010-5

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ ции(High sideConfiguration, см. рис. 11). ОсновныеотличияLNK520 (Low side)от LNK500/501: достижение болеенизкого уровня электромагнитных помех и шу мов (примернона5дБ)иоптимального температурногорежима (нескольковы водов истока МОП транзистора соеди нены с корпусом). Электрические пара метры SMPS (см. рис. 11 и 12) примерно одинаковы. Коротко перечислим характерные особенности других микросхем семей ства LinkSwitch (не отражённые в таб лице 2). МикросхемыLinkSwitch CV: регулято ры типа CV, конфигурация Low side, в микросхемахимеютсядвадополнитель ныхвывода–FB(входобратнойсвязи)и BP (вывод внутреннего стабилизатора напряжения 6 В); введён режим девиа ции частотыШИМ сигналов; возможно получение нестабильности выходного напряжения ±5% в широком диапазоне сетевыхнапряжений. Назначениявыво дов: 1 – FB, 2 – BP, 4 – вывод стока МОП транзистора, 5 8–выводыистокаМОП транзистора. Типовое включение мик росхемы LNK626PG в SMPS на три выходных напряжения приведено на рисунке 13. Приведёмнекоторыепараметрымик росхемсемейства LinkSwitch, отсутству ющие в таблице 2: ● DCMAXне менее 54%; ● нестабильность частоты ±7%; ● VFB (AR) напряжение порога выклю чения на выводе FB 1,45 В; ● VBPнапряжениенавыводеВР(BYPASS pin Voltage) 5,65…6,25 B. Микросхемы LinkSwitch HF являются усовершенствованными, высокоэффек тивными сетевыми преобразователями. Назначение выводовмикросхем: 1, 2, 7, 8 –выводистокаМОП транзистора,3–ВР, 4–FB,5–выводстокаМОП транзистора; использование высокойчастотыШИМс девиациейнесущейпорядка16кГцпозво ляет уменьшить размеры импульсного трансформатора и исключить звуковые помехи. На рисунке 14 приведена схема SMPS типа CV/CC для зарядного устрой ства с выходной мощностью 2,4 Вт (5,7В/0,4А) иКПДболее 70%. В микросхемах LinkSwitch II введены различные компенсации параметров внешнихэлементов: индукцииимпульс ного трансформатора; падения напря жения на соединительных линиях (LNK613 616), температурных измене ний параметров внешних элементов. Приоптимальномвыборевнешнихэле ментов возможно снижение мощности потребления в дежурном режиме до 30 мВт именее. На микросхемах LinkSwitch LP воз можнопостроениеисточниковпитания с минимальным числом внешних ком понентов, что позволяет существенно снизить себестоимость производства SMPS.Нарисунке15приведенасхемаис точникапитаниятипаCV/CC(6В/0,33А) с КПД более 70%. Источники питания на микросхемах LinkSwitch TN возможно реализовать в конфигурациях Buck (понижающий преобразователь), Buck Boost (понижа ющийилиповышающий, атакжеинвер тирующий преобразователь) и Flyback (обратноходовый преобразователь), в том числе без использования импульс ных трансформаторов. На рисунке 16 приведена схема SMPS (12 В/0,12А, КПД более 75%) в конфигурации Buck/High side. Использование такогоадаптераце лесообразно для питания устройств, не имеющих металлических элементов в конструкции, соединённых с корпусом печатнойплаты, например, внебольших рисоварках,фенах, светильникахнасве тодиодах, вольтметрах пробникахит.п. Л ИТЕРАТУРА 1. http://www.iea.org/papers/2007/stand by_fact.pdf. 2. http://www.sanken ele.co.jp/en/index.php. 3. http://www.allegromicro.com/en/Pro ducts/Categories/Sanken/index.asp. 4. http://www.powerint.com/. 27 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2010 6 В 0,33 А J3 2 + J3 1 – C5 220,0 25 В C1 10,0 400 В D1 1N4937 D3 1N4005 VR1 1N5240B 10 В L1 3300 мкГн RF1 8,2 Ом 2,5 Вт C3 0,33 50 В C2 0,1 50 В C4 100 250 В R1 37,4K T1 EE16 7 6 2 1 ~90–265 В L J 1 J 2 N R2 3K D2 1N4005 R3 2K LinkSwitch LP U1 LNK564PN S D BP FB 4 5 Рис. 15. Электрическая принципиальная схема SMPS на микросхеме LNK564PN L1 1 мГн 280 мА D1 UF4005 L2 1 мГн RF1 8,2 Ом 2 LinkSwitch TN LNK304 12 В 120 мА + – R3 2,05K 1% Вт R1 13,0K; 1% C3 10,0 35 В C2 100,0 16 В R4 3,3K C5 4,7 400 В C4 4,7 400 В C1 1,0 D2 1N4005GP S D BP FB D3 1N4007 ~85–265 В D4 1N4007 Рис. 16. Электрическая принципиальная схема SMPS на микросхеме LNK304 Реклама © СТА-ПРЕСС