СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА 2010-5

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА 47 WWW.SOEL.RU теризуются минимальным временем задержки распространения сигнала. Недостатки драйверов с ТГР – низкая технологичность и относительно не высокие массогабаритные показатели. Кроме этого, драйверы с ТГР не спо собны передавать постоянную состав ляющую напряжения (что, следует от метить, требуется редко). Применение драйверов с ТГР в составе конвертеров, работающих с коэффициентом запол нения свыше 0,5, также может быть сопряжено с техническими труднос тями. Драйверы на основе интегральных оптронов свободны от недостатков драйверов с ТГР, но имеют большое время задержки распространения сигнала, требуют дополнительного источника питания выходных каска дов и имеют не всегда достаточную нагрузочную способность. Тем не ме нее, каждый из типов драйверов на ходит свою область применения, ко торая определяется совокупностью технических и экономических тре бований, предъявляемых к конечно му изделию. Возможно, в дальнейшем, в резуль тате развития технологии производ ства силовых модулей с МОП и IGBT транзисторами и снижения их стои мости, силовая часть ИИСТ будет представлять собой силовой модуль со встроенными драйверами и схе мой защиты силовых транзисторов от аварийных режимов работы. Л ИТЕРАТУРА 1. Волович Г. Драйверы силовых ключей. Современная электроника. 2007. № 8. 2. International Rectifier Application Note AN 937. Gate drive characteristics and re quirements for HEXFET power MOSFETs. http://www.irf.com . 3. Староверов К. Как правильно выбрать напряжение управления затвором МОП транзистора. Новости электроники. 2007. № 20. 4. Driving IGBTs with unipolar gate voltage. DATAWEEK. Issue 31 May 2006. http://data week.co.za . 5. Francis R., Wood P., Alderman A. «Positive only» gate drive IGBTs created by Cres minimization. http://www.irf.com . 6. Clemente S., Teasdale K. Understanding and using power mosfet reliability data. Inter national Rectifier Application Note AN 976. http://www.irf.com . 7. Andreycak B. Practical considerations in high performance MOSFET, IGBT, and MCT Gate drive circuit. Unitrode Corporation Applica tion note slup097. http://www.smps.us/Uni trode.html. 8. Balogh L. Design and application guide for high speed MOSFET gate drive circuits. Unitrode Corporation Application note slup169. http://www.smps.us/Unitro de.html. 9. Володин В. Инверторный источник сварочного тока COLT 1300. Радио. 2007. №4. 10. ESAB Service Manual Caddy 130/140/200 (LHN 130/140/200). ESAB AB, 2004 http://www.esabna.com/html/down loads/files.cfm?directoryIn=Power%20Sup plies. 11. http://www.feb.spb.ru/forum/index.php? topic=37.0. 12. Lincoln Electric Invertec 300I. Service Ma nual, 1995. http://www.lincolnelectric.com. 13. Telwin Tecnica 141 161 Inverter. Trou bleshootingandrepairmanual .http://www.tel win.com . 14. Инверторный источник сварочного тока DC250.31.Техническоеописаниеиинструк ция по эксплуатации. НПП «Технотрон», 2002. http://www.tehnotron.ru . 15. Dossier de depannage du poste a souder Gysmi 183. GYS. http://www.gys.fr . СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2010 реклама © СТА-ПРЕСС