СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА 2010-5

НАДЁЖНОСТЬ И КАЧЕСТВО 6. Агаханян Т. Широкополосные усилите ли с повышенной радиационной стой костью. Компоненты и технологии. 2007. № 2. 7. Дворников О.В. и др. Импортозамещаю щие практические разработки и проек ты ИС на базе радиационно стойкого АБМК. Проблемы разработки перспектив ных микроэлектронных систем. ИППМ РАН, 2006. 8. Немудров В. и др. Системы на кристалле. Техносфера, 2004. 9. Дворников О. и др. Выбор параметров и режимов работыМОП транзисторов при схемотехническом моделировании ана логовых IP компонентов Часть 1: Крите рии качества МОП транзисторов для ана логовых применений. Современная элект роника. 2009. № 9. 10. Чернышев А.А. Основы надёжности по лупроводниковых приборов и интеграль ных микросхем. Радио и связь, 1988. 11. Вологдин Э.Н. и др. Радиационная стой кость биполярных транзисторов. http:// foet.miem.edu.ru. 12. Устюжанинов В.Н. и др. Радиационные эффекты в биполярных интегральных микросхемах. Радио и связь, 1989. 13. Вологдин Э.Н. и др. Радиационные эф фекты в интегральных микросхемах и ме тоды испытаний изделий полупроводни ковой электроники на радиационную стойкость. http://foet.miem.edu.ru . 14. ВологдинЭ.Н. идр.Радиационныеэффекты в некоторых классах полупроводниковых приборов. http://foet.miem.edu.ru. 15. Прибыльский А.В. Конструктивно схемо технические методы проектирования, тестирования и контроля интегральных схем. Минск: ОСПИ, 2003. 16. Старченко Е.И. Особенности схемотех ники операционных усилителей, стой ких к воздействиюпотока нейтронов. Но вочеркасск: ЮРГТУ (НПИ), 2003. 17. Прокопенко Н.Н. Архитектура аналого вых микросхем с повышенной стабиль ностью нулевого уровня в условиях тем пературных и радиационных воздей ствий. Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА. ФГУП «НПП «Пульсар», 2009. 18. Прокопенко Н.Н. Способ повышения ста бильности нуля комплементарных диф ференциальных усилителей в условиях температурных и радиационных воздей ствий. Ульяновск: УлГТУ, 2009. 19.Методыповышения радиационной стой кости интегральных микросхем НПО «Интеграл», предназначенных для усло вий работы в космических летательных аппаратах. http://www.bms.by/RUS/GEN ERAL/news/1.pdf. 20. Anelli G. et al. Radiation Tolerant VLSI Cir cuits in Standard Deep Submicron CMOS Technologies for the LHC Experiments: Prac tical Design Aspects. IEEE Transactions on Nuclear Science. 1999. Vol. NS 46. No 6. 21. Snoeys W. et al. Layout techniques to en hance the radiation tolerance of standard CMOS technologies demonstrated on a pixel detector readout chip. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 2000. Vol. A439. 22. Cazenave P. et al. Total dose effects on gate controlled lateral pnp bipolar junction tran sistors. IEEE Transactions on Nuclear Sci ence. 1998. Vol. NS 45. No 6. 23. Дворников О.В. и др. Заявление №20100003 от 06.04.2010 о выдаче свиде тельства Республики Беларусь на тополо гию интегральной микросхемы. Радиа ционно стойкие транзисторы. 24. Дворников О. и др. Методы идентифи кации параметров моделей интеграль ных транзисторов. Часть 1: Расчёт Spice параметров биполярных транзисторов с использованием конструктивно тех нологических и электрофизических па раметров. Современная электроника. 2009. № 5. 61 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2010 Реклама Общие технические характеристики • Модели ЖК дисплеев с размерами по диагонали 10,4", 10,5", 12,1", 15" • Яркость до 1600 кд/м 2 • Контрастность до 950:1 • Эффективная система подсветки на люминесцентных лампах с холодным катодом • Интерфейс LVDS • Диапазон рабочих температур –31…+85°C (модель 100i.10X XT) Предназначены для работы в жёстких условиях Основные области применения • Транспорт (автомобильный и железнодорожный) • Военно промышленный комплекс • Морской флот • Промышленное машинное оборудование • Информационные терминалы ЖК дисплеи ОФИЦИАЛЬНЫЙ ДИСТРИБЬЮТОР ПРОДУКЦИИ I SFT Тел.: (495) 234 0636 • Факс: (495) 234 0640 • E mail: info@prosoft.ru • Web: www.prosoft.ru © СТА-ПРЕСС