СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА 2011-4

Компания Cree, основанная в 1987 г., занимает лидирующие позиции на ми ровом рынке. Компания производит подложки и гетероэпитаксиальные структуры GaN на карбиде кремния, светодиоды и другие полупроводни ковые приборы для применения в автомобильной промышленности, в производстве ЖК дисплеев, полно цветных светодиодных панелей, осве тительных приборов и в других при ложениях. По данным китайского производителя светодиодного обору дования Yes Tech, компания Cree воз главляет пятёрку ведущих мировых производителей светодиодов (Cree, Osram, Philips, Nichia, Seoul Semicon ductor) [1]. Научные работы по исследованию карбида кремния, приведшие к созда нию компании, были начаты Эриком и Нилом Хантерами (Eric Hunter and Neal Hunter) при участии Кэлвина Картера (Calvin Carter) в Государствен ном университете Северной Кароли ны (NCSU). В 1989 г. фирма предста вила первый коммерческий синий светодиод на основе карбида кремния (SiC), а в 1991 г. приступила к промыш ленному выпуску пластин из карбида кремния. Значительнуючасть продукции ком пания поставляет на рынки Европы, Тайваня, Кореи и Японии (для компа ний Shin Etsu и Sumitomo). В 2010 г. были изготовлены первые белые све тодиоды с эффективностью209 лм/Вт; в октябре 2010 г. объявлена коммер ческая доступность новой серии све тодиодов Xlamp MX 6S, MX 3S. Кроме светодиодов, светодиодных модулей и светильников, компания производит СВЧ транзисторы, сило вые полупроводниковые приборы и полупроводниковые материалы [2]. В России продукцию Cree предла ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 14 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 4 2011 Современные светодиоды компании Cree. Особенности и параметры светодиодных компонентов семейства XLamp Юрий Петропавловский (Ростовская обл.) В статье рассмотрена номенклатура светодиодной продукции компании Cree, приведены классификационные параметры светодиодных кристаллов и сборок. Подробно рассмотрены особенности перспективных светодиодных компонентов семейства XLamp. гают многие дистрибьюторы элек тронных компонентов, а отечествен ная компания «Макро Групп» наме рена заключить дистрибьюторское соглашение с подразделением мате риалов компании Cree (CREE Mate rials Business Unit) о поставке в Рос сию подложек из карбида кремния и гетероэпитаксиальных структур GaN на SiC [3]. В 2011 г. компания Cree представля ет светодиодную продукцию в следу ющих категориях: светодиодные крис таллы, светодиодные компоненты, све тодиодные модули и светодиодные светильники. В категорию светодиодных крис таллов включена большая номенкла тура миниатюрных синих и зелёных приборов большой яркости, предна значенных для применения в схемах подсветки цифровых фото и видео камер, сотовых телефонов, автомо бильных приборных панелей и др. Для производства приборов фирма использует материал InGaN с подлож кой из запатентованного материала G*SiC, что обеспечивает отличное со отношение цена/качество. В каталог 2011 г. в категорию кристаллов вклю чены следующие серии приборов: EZBright (2 е поколение); ХThin; Ge neration II MegaBright; UltrаThinTM; RazerThin. Основные особенности приборов: ● подключение одним проводом к ка тоду (–), анод (+) выполнен в виде покрытия AuSn толщиной 3 мкм и непосредственно припаивается к плате при нагреве до 325 ° С (5 с); ● низкое прямое напряжение; ● сверхтонкий кристалл; ● малое тепловыделение; ● высокая электростатическая устой чивость; ● длительный срок эксплуатации; ● высокая интенсивность свечения при небольшой подводимой мощ ности; ● возможность монтажа в труднодо ступных местах; ● простота соблюдения температур ных режимов. Классификационные параметрысве тодиодных кристаллов серии EZBright Gen II LED (второе поколение EZBright) приведеныв таблице 1. Внеё включены приборы, справочные данные на кото рые выпущеныили отредактированыв 2008–2010 гг. Кристаллы выполнены в виде квадратной пластины толщиной 170 мкм, габаритный чертёжприборов CxxxEZ400 Sxxx00 2 приведён на ри сунке 1 (другие типыкристаллов серии отличаются только размерами). При боры могут эксплуатироваться в диа пазоне температур окружающей сре ды–40…100 ° С (максимальная темпера тура кристаллов 145 ° С). Исполнения приборов отличаются мощностьюизлучения (3–5 градаций) и доминирующей длиной волны (3–4 градации); ширина диаграммы угло вого распределения силы света в обе их плоскостях составляет 90 ° на уров не половинной мощности. Вольт амперные характеристики приборов CxxxEZ400 Sxxx00 2 приведенына ри сунке 2, зависимости относительной интенсивности излучения от темпера туры – на рисунке 3. В серию XThin входят кристаллы ХТ290 (анод из сплава AuSn или олова), выпускаемые более чем в 70 исполне ниях. Размеры кристалла составляют 300 × 300 × 150 мкм, мощность излуче ния синих приборов находится в пре делах 12…24 мВт, зелёных – 7…10,5 мВт. Размеры кристаллов XxxxMB290 Sxx00 серии MegaBright Generation II составляют 300 × 300 × 250 мкм, выпус кается более 100 исполнений прибо ров. Мощность излучения синих при боров находится в пределах 8…16 мВт, зелёных – 5…9 мВт. «Сверхтонкие» кристаллысерииUltra ThinTM различных исполнений име ют размеры 200 × 200 × 85 мкм ( Р вых = = 5,5…8 мВт); 230 × 230 × 85 мкм ( Р вых = © СТА-ПРЕСС