СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА 2011-4

Высокий порог сигнализации мо жет быть установлен между 10 000 и 1500 об./мин, которым соответствует один импульс каждые 6…40 мс. Переза пускаемыйодновибраторU3 подстраи вается до интервала времени, равного значению порога предупреждения. Еслионпостоянноперезапускаетсяине может сформировать импульс, значит, двигатель вращается слишком быстро. Таймер задержки U4 запрограм мирован для фильтрации по времени темже самым напряжением подстрой ки порога для задержки выходного сигнала, пока двигатель не превысил пороговуюскорость в течение 100 обо ротов (с 600 мс до 4 с). Задержанный выходной сигнал активирует генера тор LTC6990 для формирования пре дупреждающего звукового тона 5 кГц. Низкий порог сигнализации мо жет быть установлен между 1200 и 120 об/мин, или один импульс каждые 50…500 мс. Таймер задержки U5 пере ключает свой выход, если допустимо сформировать импульс, поскольку ско рость вращения вала двигателя слиш ком низкая. Этот выход перезапускает одновибратор U6 и сохраняет его вы ход в лог. 1, пока скорость остаётся слишком низкой. Другой фильтр по времени сформи рован при помощи блока задержкиU7, который выдаёт сигнал тревоги низ кой частоты, если двигатель продол жает вращаться слишком медленно в течение 10 оборотов (от 500 мс до 5 с). Два логических элемента ИЛИисполь зуются для обнаружения состояния, когда двигатель остановлен пол ностью. З АКЛЮЧЕНИЕ Кремниевые генераторы TimerBlox компании Linear Technology, предна значенные для отсчёта времени, тре буют минимальных усилий при про ектировании и создании точных и надёжных схем. Некоторые изделия доступны в различных модификаци ях, что снижает необходимость во внешних компонентах. Каждый прибор разработан для максимальнойгибкостииспользования в диапазоне напряжения питания 2,25...5,5В, притемпературе–40…+125 ° C ивширокихдиапазонахотсчёта време ни. Кроме того, компоненты предлага ются в небольшом корпусе DFN разме ром 2 × 3 мм или в низкопрофильном корпусе SOT 23 (ThinsoT™), если требу ется корпус с выводами. ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 32 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 4 2011 Новости мира News of the World В Томске будут производить базовые станции для сетей LTE Согласно требованиям Роскомнадзора, сети LTE в России должны быть развёрну ты на базе отечественного оборудования, причём отечественным в данном случае может считаться и оборудование, которое выпускают совместные предприятия рос сийских и иностранных компаний. Для того чтобы приблизить начало развёртывания сетей четвёртого поколения, 14 марта бы ло подписано соглашение о намерениях между Nokia Siemens Networks (NSN), на учно производственной фирмой «Микран», ОАО «Роснано» и администрацией Томс кой обл. о налаживании сборки базовых станций в особой экономической зоне Томска. В соответствии с соглашением, NSN по ставит и наладит сборочное оборудование на НПФ «Микран», а также организует до ставку комплектующих для сборки базо вых станций – так называемое локализо ванное производство, однако о глубине ло кализации представители компаний не сообщили. Запуск производственных мощ ностей для изготовления базовых станций для сетей 4G LTE запланирован на четвёр тый квартал текущего года, при этом в 2012 г. компании планируют выпустить до 10 тыс. БС. В перспективе объём выпуска может достигнуть 100 тыс. станций в год, но, к сожалению, сроки для достижения этого показателя объявлены не были. Напомним, что технология мобильной пе редачи данных 3GPP LTE (Long Term Evolu tion) является усовершенствованием и дальнейшим развитием сетей 3G (UMTS) и активно разрабатывается такими крупны ми производителями оборудования для мо бильного рынка, как упомянутая выше Nokia Siemens Networks, Alcatel Lucent, Ericsson и др. Скорость передачи данных в LTE сети может достигать 326,4 Мбит/с в сторону абонента (download) и 172,8 Мбит/с от него (upload). Первая коммерческая LTE сеть была запущена в 2008 г. в Швеции оператором Telia Sonera. В конце прошло го года Международный союз электросвя зи (ITU) официально признал LTE Advanced стандартом беспроводной связи четвёрто го поколения (4G). http://www.micran.ru/ Intel инвестирует $45 млн. в Индию в этом году Рынок Индии становится всё более при влекательным для иностранных инвесто ров. К примеру, в 2009 г. всего было заклю чено 99 крупных деловых соглашений с различными индийскими компаниями на общую сумму $356 млн., 2010 г. принёс на семь соглашений меньше, но объём вложе ний возрос до $449 млн. по данным Wall Street Journal. В прошлом году Intel заклю чила восемь соглашений. В этом году корпорация Intel намерева ется продолжить венчурные капиталовло жения в индийский рынок, набирающий конкурентоспособность из года в год. Об щая сумма инвестиций в этом году соста вит $45 млн., и ряд сделок уже исполняют ся. Сумма небольшая, но это самые круп ные капиталовложения Intel за пределами США. В 2005 г. корпорация Intel создала фонд India Technology и израсходовала на целе вые нужды за прошедшие годы уже 65% от выделенных ресурсов, т.е. вложения в Ин дию составили $230 млн. В настоящее вре мя в портфолио Intel находится около 70 инвестиционных проектов, включая со трудничество с разработчиком программ для смартфонов July Systems, разработчи ком программного обеспечения Persistent Systems и поставщиком продуктов для телекоммуникационной инфраструктуры Tejas Networks. http://online.wsj.com/ Fujitsu Semiconductor будет выпускать чипы по лицензии ARM Fujitsu Semiconductor и ARM объявили о заключении лицензионного соглашения, согласно которому первая будет выпускать чипы новой линейки ARM Cortex A15 и дру гие сопутствующие полупроводниковые устройства, разрабатываемые ARM. В их число входят графические ускорители Mali. © СТА-ПРЕСС