ЖУРНАЛ СТА №1/2000

СТА 1/2000 www.cta.ru способ избавиться от этого не- удобства — это обращение к хронометру через выделенную область адресов в SRAM, кото- рая будет использоваться для работы с часами. Когда первый цикл записи выполнен, данные сравниваются с нулевым битом 64разрядного регистра сравне- ния. Если данные совпали, ука- затель разрядов регистра срав- нения перемещается к следую- щему биту и ожидает следующе- го цикла записи. Если же дан- ные не совпали, то указатель разрядов регистра не перемеща- ется и все последующие циклы записи игнорируются до следу- ющего цикла чтения, который сбросит указатель разрядов ре- гистра сравнения в исходное состояние. Если начинается цикл чтения во время распозна- вания кодовой последователь- ности, то представлен- ная последовательность прерывается и регистр сравнения сбрасывается. Распознавание кодового слова продолжается для всех 64 циклов записи, как описано ранее, до тех пор, пока все разря- ды регистра сравнения не совпадут. При пол- ном совпадении всех 64 разрядов хронометр от- пирается и может осуществ- ляться передача данных к или от регистров хронометра. Сле- дующие 64 цикла чтения/запи- си будут передавать данные че- рез DQ0 в зависимости от уров- ня сигналов OE или WE на штырьковых выводах панельки. Данные будут записаны или прочитаны из 8 регистров хро- нометра, показанных на рис. 6. В работе хронометра с уста- новленной в панельку микро- схемой постоянного запомина- ющего устройства (ROM) есть некоторые отличия. В этом слу- чае не требуется батарейная под- держка памяти, и для передачи управляющих сигналов к встро- енному контроллеру использу- ются две линии адреса доступа к хронометру —А0, А2 (рис. 7). На рис. 5 и рис. 7 в качестве базово- го элемента панелек показана микросхема DS1215, так как OE — разрешение выхода и WE — раз- решение записи. Первым выполняется цикл чтения с использованием управ- ляющих сигналов CEI и OE, управле- ние которыми берет на себя контрол- лер хронометра. При этом произво- дится распознавание кодового слова, начиная с первого бита 64разрядного регистра сравнения. Затем выполня- ются 64 последовательных цикла запи- си с использованием управляющих сигналов CEI и WE. Эти 64 цикла тре- буются только для обеспечения досту- па к хронометру. Циклы записи, сге- нерированные для обеспечения досту- па к хронометру, приводят к записи данных в микросхему статического ОЗУ (SRAM), установленную в па- нельку DS1216. Это создает опреде- ленные неудобства, поскольку при этом изменяются данные в самой ста- тической памяти. Наиболее простой DS1216 — это фактически герметизиро- ванные в панельке литиевая батарейка и DS1215. При размещении в DS1216 (E или F) микросхемы ПЗУ (ROM) вывод ROM/RAM соединяется с выводом V ССО (напряжение, выходящее из па- нельки для питания микросхемы памя- ти), чтобы выбрать режим работы с ROM. Так как микросхема ПЗУ (ROM) предназначена только для чтения и не требует питания для хранения данных, то ей не нужна функция защиты от за- писи. Из этого можно сделать вывод: если в системе пользователя требуется автономное питание для SRAM и нали- чие часовкалендаря реального време- ни, то желательно использовать DS1213 для микросхем статической памяти, а DS1216E (или F) — для микросхем ПЗУ (ROM), тогда при обращении к хроно- метру не потребуется место в статичес- кой памяти. В таблице 3 приведены все типы ча- сов реального времени серии DS1216 с 85 В записную книжку инженера Условные обозначения: DO – D7 — шина данных; DATA OUT — выходные данные. Рис. 7. Блок-схема интеллектуальной панельки при установке микросхемы ПЗУ (ROM) Условные обозначения: HR — десятки часов (принимает значения 0, 1, 2); OSC — разрешение/запрещение работы встроенного генератора хронометра; RST — разрешение/запрещение сигнала «сброс»; A/P — время до полудня (АМ) или после полудня (PM). Рис. 6. Регистры данных хронометра Условные обозначения: A0 – AN — адресная шина; ADD — адресные входы микросхемы; DQ0 – DQ7 — шина данных; DATA I/O — данные ввода-вывода; V CC — вход микросхемы памяти для подачи напряжения питания; V CCO — выходное напряжение ключа коммутации питающих напряжений; WE — сигнал разрешения записи в микросхему памяти; CE — сигнал выбора микросхемы; CEO — выходной сигнал (из встроенного контроллера) выбора микросхемы; CEI — входной сигнал (во встроенный контроллер) выбора микросхемы; OE — разрешение выхода данных микросхемы памяти; RST — внешний сигнал сброса встроенного контроллера (хронометра); BAT1 — напряжение питания батареи 1; BAT2 — напряжение питания батареи 2; RAM/ROM — вход, определяющий тип микросхемы памяти (ОЗУ или ПЗУ); V CCI — входное напряжение внешнего источника питания; Q—выход данных встроенного контроллера (хронометра); D—вход данных встроенного контроллера (хронометра). Рис. 5. Блок-схема интеллектуальной панельки при установке микросхемы статического ОЗУ (SRAM)