ЖУРНАЛ «СТА» №2/2004

ОБ ЗО Р / АППА РАТ НЫ Е С Р Е Д С Т В А 22 ции геометрии ячейки и использова- ния технологии утопленного канала (trenchgate technology). Плотность упаковки современных низковольтных MOSFET достигает в настоящее время 100 млн. элементарных ячеек на квад- ратный дюйм. Для низковольтного диапазона напряжений можно пред- сказать непрерывное развитие MOSFET для снижения статических потерь и повышения стойкости. Для высоковольтных MOSFET ре- альной революцией была технология создания суперперехода, реализован- ная Infineon Technology в семействе вы- соковольтных MOSFETCoolMOS™. Поэтому высоковольтные MOSFET будут иметь все большее и большее значение в диапазоне напряжений от 500 до 1200 В. В течение ближайших пяти лет на рынке могут появиться полевые тран- зисторы, управляемые pnпереходом (VJFET) на базе карбида кремния (SiC). Также имеется потенциал для использования в качестве быстрых и стойких высоковольтных ключей кас- кодных соединений SiC — MOSFET с низковольтными кремниевыми MOS- FET [7]. Б ИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Биполярные Дарлингтонтранзисто- ры, достигшие предельных параметров 1400 В/200 А (на чип) и широко при- менявшиеся в последние два десятиле- тия прошлого столетия, будут посте- пенно вытесняться и заменяться бипо- лярными транзисторами с изолирован- ным затвором (IGBT). IGBT будут оставаться «рабочей ло- шадкой» силовой электроники как ми- нимум в течение следующего десятиле- тия. Блокирующее напряжение — сей- час до 6500 В — увеличится до 8000 В. Технология утопленного канала (trenchgate), развитая в настоящее вре- мя для IGBT на 600 и 1200 В, распро- странится на все классы напряжений: 3300 В к 2006 году; 8 кВ — к концу деся- тилетия. Уменьшение потерь достигает- ся путём использования буферных сло- ёв и тонких пластин. В настоящее время ещё не ясно, сможет ли технология су- перпереходов улучшить характеристики IGBT без увеличения стоимости. На рынке появились первые IGBT с обратной блокирующей способностью. Их уникальные коммутационные ха- рактеристики могут быть определяю- щими для некоторых применений. Для маломощных и высоковольтных (1200 В) применений, включая силовые интегральные схемы, будут совершен- ствоваться «горизонтальные» (lateral) IGBT, предельные коммутационные ха- рактеристики которых обеспечат ком- мутацию 1200 В/5 А к 2006 году и 10 А/ 1200 В — к концу десятилетия. Для мощных применений разработана мо- дификация IGBT — биполярный тран- зистор с изолированным затвором с увеличенной инжекцией (IEGT — Injection Enhanced Gate Transistor), ко- торый объединяет преимущества IGBT по малой мощности управления, ма- лым коммутационным потерям и ши- рокой области безопасной работы (не- достаток — высокое прямое падение напряжения изза малой инжекции за- рядов из эмиттера) с преимуществами GTO по низкому прямому падению на- пряжения (высокая инжекция зарядов из анода и катода) [8]. Фирма Toshiba Semiconductor производит в пластмас- совых корпусах 140 × 190 мм с AlSiCос- нованием 6 типов модулей: 1200 А/ 1700 В; 400, 800 и 1200 А/3300 В; 600 А/6500 В — и 5 типов в герметич- ных металлокерамических корпусах прижимной конструкции: СТА 2/2004 www.cta.ru МОСКВА Телефон: (095) 234-0636 • факс: (095) 234-0640 • E-mail: info@prosoft.ru • Web: www.prosoft.ru С.-ПЕТЕРБУРГ Телефон: (812) 325-3790 • факс: (812) 325-3791 • E-mail: root@spb.prosoft.ru • Web: www.prosoft.ru ЕКАТЕРИНБУРГ Телефон/факс: (343) 376-2820/2830 • E-mail: info@prosoft.ural.ru • Web: www.prosoft.ural.ru Начните с простого: начните с LOGO! О Б РАТ И Т Е С Ь К Д И Л Е Р У П Р О С ОФ Т В В АШЕ М Г О Р О Д Е ! • Поставка со склада • Образцы для тестирования • Техническая поддержка по всей стране ДИЛ ЕРЫ ПРОСОФТ: ВОЛГОГРАД: Сервисный центр АИР (8443) 39-38-12/71 http://www.vlz.ru/~air • ВОРОНЕЖ: Воронежпромавтоматика (0732) 53-8692/5968 • ИРКУТСК: Инэкс-Групп-Сервис (3952) 25-8037, 20-0550/0660 • КАЗАНЬ: Шатл (8432) 38-1600 • КЕМЕРОВО: Конкорд-Про (3842) 35-7888/6387 • КРАСНОДАР: Телесофт (8612) 69-3883 www.telescada.ru • КРАСНОЯРСК: ТоксСофт-Сибирь (3912) 65-3008 www.toxsoft.ru • МОСКВА: Антрел (095) 775-1721, 269-3321 www.antrel.ru • Н.НОВГОРОД: СКАДА (8312) 36-6644 www.scada-nn.ru • НОВОСИБИРСК: Индустриальные технологии (3832) 34-1556, 34-4665 www.i-techno.ru • ОЗЕРСК: Лидер (35171) 28-825, 23-906 • ПЕНЗА: Технолинк (8412) 55-9001/9813 www.tl.ru • ПЕРМЬ: Пром-А (3422) 19-5566 www.prom-a.ru • РЯЗАНЬ: Системы и комплексы (0912) 24-1182, 27-3181 www.sys-com.ru • САМАРА: Бинар (8462) 66-2214, 70-5045 • САРАТОВ: Трайтек (8452) 52-0101, (095) 733-9332 www.tritec.ru • ТАГАНРОГ: Квинт (8634) 31-5672/0629 • ТУЛА: АТМ (0872) 30-7193, 38-0692 http://atm.tula.net • УЛЬЯНОВСК: Поиск (8422) 37-6567 www.poisk.mv.ru • УФА: Интек (3472) 90-8844, 90-8822 www.intekufa.ru • ЧЕЛЯБИНСК: ИСК (3512) 90-8608, 35-5440 • ЯРОСЛАВЛЬ: Спектр-Трейд (0852) 21-4914/0363 http://spectrtrade.yaroslavl.ru #150