ЖУРНАЛ «СТА» №2/2004
ОБ ЗО Р / АППА РАТ НЫ Е С Р Е Д С Т В А 30 Должна быть решена важнейшая за- дача стандартизации и унификации. Однако вероятно, что и модули, и дис- кретные приборы не будут стандарти- зованы. Первый производитель, пред- ложивший привлекательный для рын- ка продукт, установит стандарт дефак- то. Остальные производители будут следовать ему (или предложат чтото лучшее). Бо'льшее значение при создании при- боров и устройств силовой электрони- ки приобретут мощные системы авто- матизированного проектирования. Разработки и применение новых ма- териалов позволят улучшить характе- ристики и приборов силовой электро- ники, и пассивных элементов. Выход на широкий рынок приборов силовой электроники на основе новых материалов будет осуществляться по- степенно, небольшими шагами. Главной движущей силой развития силовой электроники является и будет являться снижение цены, габаритов и повышение надёжности. Хочу присоединиться к мнению од- ного из корифеев силовой электрони- ки профессора Боуза (Bose) о том, что двумя самими важными технология- ми сверхавтоматизированного 21 века будут компьютеры — «разум» — и си- ловая электроника — «мускулы». Од- нако из этих двух ключевых техноло- гий Россия уже упустила первую и в ближайшие годы рискует потерять и вторую. ● Л ИТЕРАТУРА 1. С.Н. Флоренцев. Состояние и перспективы развития приборов силовой электроники на рубеже столетий. Анализ рынка// Элек- тротехника. — 1999. —№ 4. — С. 210. 2. С.Н. Флоренцев. Силовые IGBTмоду- ли — основа современного преобразо- вательного оборудования// Электрон- ные компоненты. —2002. — № 6. — С. 1117. 3. С.Н. Флоренцев. Силовая электроника начала тысячелетия// Электротехника. — 2003 г. — № 6. — С. 39. 4. А.Н. Думаневич, В.А. Потапчук, Н.И. Якивчик. Основная элементная база пре- образовательной техники// Сборник док- ладов VII Симпозиума «Электротехника 2010 год. Перспективные виды электро- технического оборудования для передачи и распределения электроэнергии». Мос- ковская обл. Май 2729, 2003. Том. 4. С. 134144. 5. С.Н. Флоренцев. Современные и пер- спективные силовые MOSFET и IGBTмодули// Там же. С. 514. 6. J.A.Ferreira, J. Popovic. Packaging, integra- tion, thermal management — from the state of the art to future trends//Proceedings PCIM'2003. Nurenberg, Germany. May 2022, 2003. P. 1120. 7. T. Reimann, A. Mueller, J. Petzoldt, I. Zverev, P. Friedrichs. SICJFETCascode: StateoftheArt, Performance and Application// Proceedings PCIM'2003. Nurenberg, Germany. May 2022, 2003. P. 257262. 8. N. Yamano, N. Tsukamoto, H. Matsumura, G. Tchouangue. TOSHIBA's newest 3.3kV 1.2kA IEGT module and remarkable improvements in 4.5kV IEGT perform- ance// Proceedings PCIM'2003. Nurenberg, Germany. May 2022, 2003. Р. 357362. 9. T. Stockmeier. Power Semiconductor Packaging — A Problem or a Resource? From the State of the Art to Future Trends// Proceedings PCIM'2000. Nurenberg, 2000, Germany. Р. 195. Автор — генеральный директор НПП «ИНЭЛС» Телефон: (095) 366-0711 СТА 2/2004 www.cta.ru СТАНДАРТНЫЕ МОДУЛИ ГАЛЬВАНИЧЕСКОЙ РАЗВЯЗКИ #96 Узнайте подробности на www.prosoft.ru/dataforth.htm
Made with FlippingBook
RkJQdWJsaXNoZXIy MTQ4NjUy