СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА 2010-5

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА 39 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2010 Дифференциальная проводимость транзистора , или, с учётом (6), , (7) а крутизна .(8) Подставив в (8) значение ( U GS – U th ), найденное из (6), получим: . (9) Подставляя (7) и (9) в (5), найдём окончательно , (10) т.е. с ростом тока выходное сопротив ление схемы уменьшается. Если нагрузка в схеме рис. 8 ак тивно индуктивная, то в ПФ конту ра регулирования появляется полюс, ухудшающий устойчивость схемы. Этот полюс обусловлен емкостной связью между стоком и затвором (эффектом Миллера). Для уменьше ния ёмкости Миллера необходимо стабилизировать потенциал стока транзистора. Сделать это можно, например, включив дополнитель ный транзистор по каскодной схеме (см. рис. 9). Э.д.с. источника смеще ния E OF выбирается такой, чтобы напряжение сток–исток транзистора VT 1 составляло примерно 3 В. Ана лиз устойчивости этой схемы очень сложен, поэтому для компенсации фазового запаздывания, вносимого нагрузкой, полезно включить парал лельно нагрузке цепочку R к C к . Если это окажется недостаточным, мож но использовать ПИ регулятор, как в схеме рис. 5. Л ИТЕРАТУРА 1. Волович Г.И. Схемотехника аналоговых и аналого цифровых электронных уст ройств. Додэка XXI, 2007. 2. Волович Г.И. Моделирование однотакт ных DC/DC преобразователей в пакете VISSIM. Современная электроника. 2005. № 3. 3. Титце У., Шенк К . Полупроводниковая схемотехника. Т. 1. Додэка XXI, 2008. Е R K C K L L R L VT 1 I S U 1 R Е OF U 2 I 2 VT 2 Рис. 9. Схема источника тока с каскодным включением транзисторов Е R L VT I S U 1 U GS R U 2 U DS I Рис. 8. Схема источника тока с МОП транзистором Реклама ОФИЦИАЛЬНЫЙ ДИСТРИБЬЮТОР КОМПАНИИ MPS В РОССИИ АКТИВНЫЙ КОМПОНЕНТ ВАШЕГО БИЗНЕСА Тел.: (495) 232 2522 • info@prochip.ru • www.prochip.ru © СТА-ПРЕСС